Yugra State University BulletinYugra State University BulletinВестник Югорского государственного университета1816-92282078-9114Yugra State University732310.17816/byusu201511253-57ArticlesСтатьиResearch ArticleProperties moulded thin-film nanostructureСвойства формованных тонкопленочных наноструктурZelenskiyVladimir I.ЗеленскийВладимир Иванович
Russian Federation

Candidate of Technical Sciences, Assistant Professor of the Department of Physics and All-technical disciplines, Yugra State University

Кандидат технических наук, доцент кафедры физики и общетехнических дисциплин Югорского государственного университета

selenskij@gmail.comTroyanPavel E.ТроянПавел Ефимович
Russian Federation

Doctor of Technical Sciences, Professor of the Department Physical Electronics, Tomsk State University of control systems and radio electronics

Доктор технических наук, профессор кафедры физической электроники, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

p.e.troyan@mail.ruYugra State UniversityЮгорский государственный университетTomsk State University of control systems and radio electronicsТомский государственный университет систем управления и радиоэлектроники15062015112NO2 (2015)№2 (2015)535704122017Copyright ©; 2015, Zelenskiy V.I., Troyan P.E.Copyright ©; 2015, Зеленский В.И., Троян П.Е.2015Zelenskiy V.I., Troyan P.E.Зеленский В.И., Троян П.Е.http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0https://vestnikugrasu.org/byusu/article/view/7323

Are considered: technology of reception of thin-film frame metal-dielectric-metal; the properties got by frame as a result of electrical moulding in strong electric field in vacuo: volt-ampere characteristic, issue of electrons in vacuum. The model of resulting electrical moulding of nanostructure is discussed.

Рассматриваются: технология получения тонкопленочной структуры металл-диэлектрик-металл; свойства, приобретаемые структурой в результате электрической формовки в сильном электрическом поле в вакууме: вольт-амперная характеристика, эмиссия электронов в вакуум. Обсуждается модель возникающей в результате электрической формовки наноструктуры.

technology of thin-film framesframe metal-dielectric-metalelectrical mouldingcurrent transportissuenanostructurequantum pointsтехнология тонкопленочных структурструктура металл-диэлектрик-металлэлектрическая формовкатокопереносэмиссиянаноструктураквантовые точки1. Галанский, В. Л. О природе электрической формовки тонкопленочного холодного катода [Текст] / В. Л. Галанский, П. Е. Троян, Ю. Б. Янкелевич // Радиотехника и электроника. – 1977. – Т. 22, № 6. – С. 1302–1304.2. Особенности работы матрицы ненакаливаемых тонкопленочных эмиттеров в импульсном режиме [Текст] / Г. А. Воробьев, П. И. Антоненко, В. И. Зеленский, В. В. Ефимов // Электрон. техн. ; Сер. 4.Электровакуумн. и газоразряд. приборы. – 1988. – № 3(122). – С. 25–26.3. Воробьев, Г. А. Формовка системы металл-диэлектрик-металл и ее пробой [Текст] / Г. А. Воробьев, В. И. Зеленский // Радиотехника и электроника. – 1989. – Т. 34, № 6. – С. 1312–1315.4. Biederman, H. Emission patterns at varions conditions of imaging the electron emission of Al-LiF-Au structures // Phys. Stat. Sol. (a). – 1976. – V. 36. – № 2. – P. 783–789.5. Troyan P. E., Sakharov Yu. V., Zhigal'skii A. A., Makrushin A. S. An electron-microscopic study of SiO2 films with a carbon impurity // Russian Physics Journal. – 2006. – Т. 49, № 2. – С. 219–220.6. Троян, П. Е. Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем [Текст] / П. Е. Троян, В. И. Зеленский // Нано- и микросистемная техника. – 2013. – № 4. – С. 9–11.7. Гуляев, П. Ю. Контроль формовки МДМ-структур наноэлектроники в сильных электрических полях [Текст] / П. Ю. Гуляев, В. И. Зеленский, Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян // Ползуновский вестник. – 2010. – № 2. – С. 68–71.8. Баранов, А. В. Механизм электропроводности в структурах Al-Si3N4–Al [Текст] / А. В. Баранов, Л. А. Троян // Изв. вузов. Физика. – 1973. – № 10. – С. 20–24.9. Гуляев, П. Ю. Исследование плотности тока в наноструктурах металл-диэлектрик-металл [Текст] / П. Ю. Гуляев [и др.] // Ползуновский альманах. – 2011. – № 1. – С. 21–24.10. Баранов, А. В. Влияние пространственного заряда на электропроводность структур Al-Si3N4–Al [Текст] / А. В. Баранов, Л. А. Троян // Изв. вузов. Физика. – 1973. – № 5. – С. 151–153.11. Валиев, К. А. Электроформовка как процесс самоорганизации нанометрового зазора в углеродистой среде [Текст] / К. А. Валиев, В. М. Мордвинцев, В. Л. Левин // ЖТФ. – 1997. – Т. 67, № 11. – С. 39–44.12. Моделирование технологических процессов плазменного напыления покрытий наноразмерной толщины [Текст] / П. Ю. Гуляев, И. П. Гуляев // Системы управления и информационные технологии. – 2009. – № 1.1(35). – С. 144–148.